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| FPM／EDO／SDRAM PC100／PC133
DDR／RAMBUS
DRAM／RAM
SIMM／DIMM
BUFFER／UNBUFFERED Memory ／ECC／REGISTERED PIN |
| 7Cacheability－高速缓存能力 主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。 7Cache Memory－高速缓存存储器 也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1MB)联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。 7CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲 在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。 7CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 7CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器 同EDRAM（Enhanced DRAM） 7Checksum－检验和，校验和 在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。 参考Parity（校验） 7Chipset－芯片组 把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。 7Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装 薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。 7Compact Flash－紧凑式闪存 一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。 7Concurrent
Rambus－并发式总线式内存 7Continuity
RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组 7CMOS（Complementary
Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体 7CPU
(Central Processing Unit)－中央处理单元 7Credit
Card Memory －信用卡内存 7CSRAM
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