7Tag RAM
　在主板的Cache附近的一个用来存储高速缓存数据索引地址（Index Address）的RAM，其主要功能是辅助Cache、CPU、芯片组的沟通与存取寻址数据。

7tCC （Clock Cycle time）
　时钟周期时间。例如PC100 SDRAM的tCC是10纳秒。

7tCK (System Clock Cycle Time)
　也叫tCLK，一般我们说的内存速度就是指tCLK。

7Throughput －吞吐率
　表示通讯速度，即一个通信系统在最佳工作状态下单位时间内通过的数据量。

7Timing －读写时序
　内存在突发式（Burst）读取模式下一次可连续读取4组数据，其读取周期可以表示为X-Y-Y-Y。其中X表示读取第一组数据的时钟周期数，一般叫做Lead off time（通常时间比较长）；Y表示后三组数据的读写时间周期。

7Tiny BGA－小型球栅阵列封装
　Kingmax公司的一项专利技术，属于BGA内存封装技术的一个分支。其芯片面积与封装面积之比约为1：1.4。

7TOSH (Toshiba)－ 日本东芝株式会社

7TSOP（Thin Small Out-Line Package）－薄型小尺寸封装
　TSOP也是DRAM的一种封装形式，但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。

7TOSP II－薄型小尺寸封装II
　SDRAM内存最为常见的封装形式。但是，随着内存的速度和频率的不断提高，这种封装形式越来越不能满足需要。

7Transmission Line Technology
　支持Direct Rambus系统后端总线（backside bus）的一种技术。信息以流水线（pipeline）的方式分成若干个数据（packet）包同时快速传递，然后内存控制器再把这些数据包重新组合起来交给前端总线（frontside bus），以实现和CPU的通讯。

7tRAS （Row Active time）－行活动时间

7tRC （Row Cycle time）－行周期时间

7tRCD （Row to Column Delay）－行到列的时间延迟
　也叫RAS to CAS Delay。

7tREF （Refresh time）－刷新时间
　每个 SDRAM 设备的刷新时间为32 ~ 64 ms（毫秒）

7TSOP（Thin Small Out-Line Package）－小输出线瘦形封装
　TSOP也是DRAM的一种封装形式，但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。
　TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。